中芯国际芯片技术突破,华为芯片有望提前迎来转机

1970-01-01来源:芯片 华为 中芯国际 美国 7mm 0 0
摘要中国媒体《珠海特区报》10月12日消息称,中国知名芯片代工厂中芯国际官宣了FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试,该代工艺技术非常接近7mm。如果此次试验成功,华为芯片有望提前迎来转机,就算失败,也能从中吸取经验。

  要知道中芯国际只是纯商业性集成电路代工厂,之所以明面要服从美国的规矩,是因为本身并没有核心技术,也没有进入制裁名单,且有大量国际合作客户,与其直接翻脸,导致生产设备被限制,零部件将被断供,国际客户流失,同时面临美国罚款,不如先看局势调整发展。

  但是现在,美国已把中芯国际列入制裁名单,中芯遵不遵守美国的规定,已经没有太大意义。面临美国的出口限制,中芯只能背水一战,尽快摆脱对美国设备的依赖。

  若新工艺不需要美国设备,一旦正式投产,只要技术问题解决了。产品一开始成本偏高问题后续是可以慢慢优化解决的。

  还记得,去年5月15日,特朗普正式将华为列入“实体制裁”黑名单,企图让华为屈服,但是没想到随后的5月17日,华为海思内部致信全体员工,启动备用芯片,宣布每一产品都向“科技自立”启程。5月20日,美国芯片巨头迫于特朗普政府压力,向华为断供芯片。

  美国半导体芯片断供的背后是中国半导体核心领域被美国“卡脖子”,面对美国针对中国的封锁,我国必须突破美国对半导体等核心技术领域的垄断。

  转眼间制裁已经实行一年,9月份,我国中科院正式宣布针对美国“卡脖子”清单进行反围剿后,近日,中芯科技提前迎来技术突破,无疑是突如其来的喜讯。

  不管怎样的困境,中国不服输,敢于应对困境迎难而上,并一步步用实际行动去突破阻碍!真实地感受到了那句话,什么样的阻碍都难不倒中国人,突破只是时间的问题。

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