中国媒体《珠海特区报》10月12日消息称，中国知名芯片代工厂中芯国际官宣了FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，该代工艺技术非常接近7mm。如果此次试验成功，华为芯片有望提前迎来转机，就算失败，也能从中吸取经验。

　　据报道了解，此次中芯国际此次官宣的N+1进程与台积电的7mm节点“几乎相同”。而台积电的N7节点是世界上最先进的节点。

　　现在中芯国际N+1工艺的主要问题在于，没有台积电的7mm(ASML)扫描仪，需要更多的生产程序与材料成本，而且在性能与密度上，N+1可能会有所不足。

　　不过据国外媒体报道的消息，光刻机巨头荷兰阿斯麦ASML公司近日谈到中芯国际等中国客户的需求，通过对美国法案进行了解，首席财务官表示向中国客户出口DUV光刻机无需申请出口许可证，最先进的EUV光刻机将在2021年出货。

　　到时候，EUV光刻机无疑将给中芯N+1工艺再次带来突破。

　　对于中芯科技，或许有人疑问，前段时间，中芯公司不是发布声明遵守美国贸易规则吗?