最近一段时间，美国频繁地利用“芯片”制裁中国华为与中兴等中国企业的事情，在国际上闹得可谓是“沸沸扬扬”甚至就连中芯国际都难逃美国的“黑手”。

　　既然被美国在芯片上面束缚住了“手脚”，那么我国自然是要解开这些“捆绑”着手脚的束缚。于是，研制属于我们自己“国产芯片”的计划就此被提上了日程，而最近这一研制计划似乎有了一个巨大的“突破”，我们也终于等来了一个好消息。

　　日前，中兴公司曾对外正式宣布5G基站的7nm制程芯片将会全面商用化，而在这句话刚宣布完不久之后，中芯国际的第二代FinFET工艺也在同一天的不同时间曝光出了新进展，根据《珠海特区报》的报道显示，芯动科技已经全面完成了全球首个基于中芯国际FinFET N+1工艺的芯片流片与测试，该工艺将是由国内全面自主研发生产并测试通过。

　　关于该工艺，中芯国际联合CEO梁孟松曾对记者解释过，该工艺虽然不是真正意义上的7nm工艺，但是这个由中芯国际研制的N+1工艺，其无论是在功率方面还是在稳定性方面都和现有的7nm工艺十分相似，并且跟现有的7nm工艺相比较的话，该工艺还有一个最大的主要优势，那就是不需要EUV光刻机。

　　当然，这系列工艺还是有缺点的，例如在性能方面的提升就远远不够，所以，以目前的情况来看，N+1工艺是面向低功耗领域的工艺。

　　不过对于中国来说，此次芯动科技基于中芯国际的先进工艺所研制的芯片的测试成功，意味着中国未来将会在芯片方面彻底拥有自主知识产权，并且在面对来自外国的“卡脖子”中，中国也将可以全面应付。