三代半导体芯片的主要成分是，碳化硅、氮化镓等掺杂性复合材料，具有较纯半导体更为优质的电导率水平。能够在高频、高功率、高温度环境下工作，被广泛应用于第五代芯片、军用雷达以及电动汽车等相关领域。我国在这一领域不断增长的需求和投资，将有实力打造出“世界一流的中国芯片巨头”。

　　报道指出，民族产业注资，将减少中国对外国技术的依赖，与2025年中国制造计划所设定的目标相呼应。“神州数码”首席运营官郭为表示，“智慧城市的概念已经被吹捧多年，现在这些相关行业，才真正看到了投资。”诚然，如果指望国外技术带动中国“智慧城市”的实际发展，将不知道是猴年马月的故事。

　　在如今中美高新技术难以共存于同一片土壤的年代，主要企业相互撤离，既是挑战也是机遇。挑战在于，我们将倾全国之力，共同克服中国多年依赖外国的半导体技术的关键难题，不仅要跟上半导体发展的历史积累、技术更迭;加大科研投入力度，完善产业链、创业链。

　　最为重要的一点是，加大这一领域的人才培养、学科建设;还应该注重相关知识产权保护，真正实现成果转化。最为现实的原因就是，1美元的半导体产品，将带来100美元的GDP增值，而半导体的核心技术就是这一增值转化的关键所在。

　　尽管我们在最需要国外技术的时候，撤出了美国这片科技沃土，但我们将把握这一自主创新的机遇，逆风胜出。正如“电子工程专辑”网9月25日消息，科学技术专家乔治·利奥波德的分析称，振兴美国本地芯片制造产业的国家活动越来越频繁，这一现实凸显了，美国在芯片技术上的领先地位已经不复稳固。