好消息!我国在半导体领域再攻一城,被美逼到墙角的最佳反击

2020-07-02 0 0
摘要而我们直接绕过了硅基半导体技术的专利壁垒,研制出了成本更低、功耗更小、效率更高的碳基半导体技术。发达国家一直将碳基技术作为替代硅基技术的替代技术,而我们的碳基半导体研究已经走在了世界领先水平。

  

  顶尖光刻机被荷兰人卡脖子,抛光机和离子注入设备是美国人的天下,就连我们最擅长的半导体测试封装,上游设备也被德国垄断。持续了近20年的“造不如买,买不如租”的理念,我们在半导体领域已经整体落后于国际先进水平,直到被卡脖子断供的关键时刻才开始领悟。

  近些年,我国不断在半导体领域实现重大突破。在最近一个月时间里我国半导体接连获得两大重大突破,又有何意义?

  6月28日新华社报道,从中国电子科技集团有限公司得知,该集团旗下的电科装备自主研制的高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速,性能直接达到国际先进水平。

  据介绍,离子注入机是芯片制造中必不可少的关键设备。离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术,目的就是改变半导体的载流子浓度和导电类型。

  而高能离子注入机是离子注入机中技术难度最大的机型,被称为离子注入机领域中的“珠穆朗玛峰”,也是我国芯片制造产业急需攻破的关键技术。

  该企业准备在年底前推出首台高能离子注入机,实现我国芯片制造领域全系列离子注入机自主,还将为全球芯片制造商提供离子注入机成套解决方案。

  这个重大突破,表明我国在半导体领域再攻下一城。

  不仅如此,在1个月前,也就是5月26日北京元芯碳基集成电路研究院宣布,解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈。

  国外常年垄断硅基材料的集成电路技术,我们每年需要进口芯片的花费高达3000亿美元。

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